美國Plasma Etch公司介紹
時(shí)間:2019-12-24 13:18
Plasma Etch公司成立于1980年，致力于提供電子行業(yè)用的等離子設(shè)備及相關(guān)服務(wù)。通過幾十年的發(fā)展，公司發(fā)展成為提供等離子設(shè)備方面的專家，可為客戶提供專業(yè)的產(chǎn)品和解決方案，先后為眾多知名企業(yè)提供等離子處理設(shè)備，如美國宇航局NASA, 美國波音Boeing，著名的電子保安系統(tǒng)產(chǎn)品制造商美國霍尼韋爾Honeywell,美國摩托羅拉Moto, 德國拜耳Bayer，世界軍用飛機(jī)的領(lǐng)軍企業(yè)美國洛克希德馬丁Lockheed-Martin等等。
Plasma Etch擁有多項(xiàng)發(fā)明專利，在開發(fā)和制造等離子設(shè)備方面有許多突破性創(chuàng)新，公司擁有等離子體技術(shù)和制造技術(shù)領(lǐng)域里最尖端的技術(shù)。這些專利技術(shù)的產(chǎn)品線是公司獨(dú)有的，生產(chǎn)的等離子設(shè)備是業(yè)界公認(rèn)的集清洗速度、完整均勻性、安全可靠性為一體的等離子處理設(shè)備。
公司發(fā)展歷程
1980年初 – 公司成立并生產(chǎn)首臺等離子系統(tǒng)；
1980 年底- 為線路板企業(yè)提供等離子處理設(shè)備；
1987 年- 發(fā)明TRUE等離子控溫專利技術(shù)，獨(dú)立控制并能保持整個(gè)等離子處理過程中溫度的穩(wěn)定性；
1988年 – 公司擴(kuò)大搬遷至California, USA；
1989年 – 生產(chǎn)首臺電腦控制等離子處理設(shè)備；.
1992年 – 發(fā)明專利電磁屏蔽技術(shù)；.
1994年 – 生產(chǎn)PE-1000聯(lián)機(jī)等離子處理設(shè)備；
1996年 – 生產(chǎn)自動機(jī)器人裝卸系統(tǒng)；
1996年 – 公司擴(kuò)大搬遷至Nevada, USA.
1997年 – 生產(chǎn)MK-III等離子盲鉆系統(tǒng)；
1998年 – 生產(chǎn)TT-1 旋轉(zhuǎn)式等離子處理系統(tǒng)；
2000 年- 生產(chǎn)PE-2000R卷輪式/滾動式等離子處理系統(tǒng)；
2003年 – 改進(jìn)BT-1刻蝕機(jī)；
2004年 – 增加PE-200和BT-1基于windows的控制軟件和觸屏功能
2005年 – 生產(chǎn)臺式PE-100；
2010年 –生產(chǎn)臺式PE-50；
2012 年– 研制不需要CF4操作的麥格納系列
專業(yè)溫控技術(shù)
在等離子體處理過程中，溫度是確保均勻性、有效性的一個(gè)重要參數(shù)。Plasma Etch生產(chǎn)的等離子設(shè)備具有可直接調(diào)節(jié)電極溫度的專利技術(shù)。通過電腦程序的自動控制可保證整個(gè)等離子處理過程中溫度的穩(wěn)定性。這種技術(shù)是成熟且高度可靠的，并可由操作者操作控制。
操作者可在系統(tǒng)控制范圍內(nèi)設(shè)置任何溫度并自動保持該溫度，可在溫度范圍內(nèi)設(shè)置成最高溫度來處理任何材料和基底，從而可以以最快的速度處理樣品。無需預(yù)熱或者預(yù)啟動等離子設(shè)備就可以間歇的處理樣品或者不斷的重復(fù)處理過程。
專利靜電屏蔽技術(shù)
我們與許多行業(yè)進(jìn)行合作并進(jìn)行大量的研究，許多公司采用我們具有專利技術(shù)和特點(diǎn)的真空腔，真空腔采用航空級鋁合金材料，具有非常好的耐用性。研究表明，采用鋁合金作為腔體可以微調(diào)每個(gè)等離子處理過程直到最佳的均勻性。等離子處理過程控制不恰當(dāng)?shù)脑挄?dǎo)致對樣品的損壞，均勻性欠佳導(dǎo)致某些地方燒焦、彎曲或者損壞樣品，對此我們改進(jìn)了設(shè)計(jì)。采用我們的專利靜電屏蔽技術(shù)就可以使得等離子體高效且均勻在電極表面穿流而過，這一技術(shù)大大降低了等離子處理過程中對樣品的損傷。該電磁屏蔽技術(shù)是Plasma Etch獨(dú)有的專利技術(shù)。
系統(tǒng)控制軟件
Plasma Etch生產(chǎn)的等離子設(shè)備和控制軟件的接口都是獨(dú)特的，軟件可以監(jiān)控和自動控制處理進(jìn)程，如下：
1.創(chuàng)建等離子處理工藝流程
2.監(jiān)控和記錄處理數(shù)據(jù)
3.設(shè)置數(shù)據(jù)警報(bào)點(diǎn)
4.存儲過程數(shù)據(jù)
5.實(shí)時(shí)自動監(jiān)測處理工藝
6.創(chuàng)建特定樣品的處理工藝流程
7.制定連續(xù)的處理任務(wù)
通過使用該控制軟件，可以精確的控制等離子處理過程的每一個(gè)環(huán)節(jié)，并能夠從程序中刪除失誤操作。
更快地刻蝕速度
Plasma Etch的等離子設(shè)備刻蝕速度是其他等離子設(shè)備的3倍以上。獨(dú)特的設(shè)計(jì)和專利技術(shù)，如溫控技術(shù)和靜電屏蔽的結(jié)合使我們能夠在等離子體處理上提供無與倫比的質(zhì)量與速度。
應(yīng)用領(lǐng)域
目前設(shè)備廣泛應(yīng)用于：等離子清洗、刻蝕、灰化、涂鍍和表面處理，在真空電子、LED、太陽能光伏、集成電路、生命科學(xué)、半導(dǎo)體科研、半導(dǎo)體封裝、芯片制造、MEMS器件等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。
